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MMBF170Q-7-F
規(guī)格信息：

制造商:Diodes Incorporated

產品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-23-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:500 mA

Rds On-漏源導通電阻:5 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:800 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:300 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

資格:AEC-Q101

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1 mm

長度:2.9 mm

系列:MMBF170

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:1.3 mm

商標:Diodes Incorporated

正向跨導 - 最小值:80 mS

產品類型:MOSFET

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:10 ns

典型接通延遲時間:10 ns

單位重量:8 mg

介紹圖MMBF170Q-7-F
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
MMBF170Q-7-FN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO-天天IC網(wǎng)213.39 Kbytes共5頁MMBF170Q-7-F的PDF文件地址 MMBF170Q-7-F的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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