FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：500mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：60pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：10V
功率耗散（最大值）：225mW（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：5 歐姆 @ 200mA，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs