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MMBF2201NT1G
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-323-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Id-連續(xù)漏極電流:300 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:1.4 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:150 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.85 mm

長(zhǎng)度:2.1 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:MMBF2201N

晶體管類型:1 N-Channel

類型:MOSFET

寬度:1.24 mm

商標(biāo):ON Semiconductor

正向跨導(dǎo) - 最小值:450 mS

下降時(shí)間:0.8 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:2.5 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:15 ns

典型接通延遲時(shí)間:2.5 ns

單位重量:6.200 mg

MMBF2201NT1G

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買
MMBF2201NT1G	Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	98.79 Kbytes	共2頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
MMBF2201NT1G	Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SC-70/SOT-323	ONSEMI[ON Semiconductor]	57.35 Kbytes	共4頁(yè)	MMBF0201NLT1_06,MGSF1N02LT1_05,NTB35N15,70N06,30N06,MTP20N15E,2SK3680-01,STP80NF06,2N7000,STB160NF3LL_06	產(chǎn)品購(gòu)買
MMBF2201NT1G	Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts	ONSEMI[ON Semiconductor]	103.5 Kbytes	共4頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買