通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：82 A
最大漏源電壓：600 V
最大漏源電阻值：75 m0hms
最大柵閾值電壓：6.5V
最大柵源電壓：-30 V、+30 V
封裝類型：PLUS264
安裝類型：通孔
引腳數(shù)目：3
晶體管配置：單
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：1.56 kW
最低工作溫度：-55 °C
最高工作溫度：+150 °C
每片芯片元件數(shù)目：1
長度：20.29mm
高度：26.59mm
系列：HiperFET, Q3-Class
寬度：5.31mm
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：275 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds：13500 pF@ 25 V
典型關(guān)斷延遲時間：60 ns
典型接通延遲時間：40 ns
尺寸：20.29 x 5.31 x 26.59mm
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs