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IXFB40N110Q3
規(guī)格信息：

制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:PLUS-264-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1.1 kV

Id-連續(xù)漏極電流:40 A

Rds On-漏源導通電阻:260 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Qg-柵極電荷:300 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.56 kW

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:HiPerFET

封裝:Tube

系列:Q3-Class

晶體管類型:1 N-Channel

商標:IXYS

正向跨導 - 最小值:14 S

下降時間:26 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:68 ns

工廠包裝數(shù)量:25

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:74 ns

典型接通延遲時間:47 ns

介紹圖IXFB40N110Q3
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
IXFB40N110Q3N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier IXYS[IXYS Corporation]IXYS[IXYS Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)143.61 Kbytes共5頁IXFB40N110Q3的PDF文件地址 IXFB40N110Q3的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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