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IXFB80N50Q2
規(guī)格信息：

制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:PLUS-264-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:500 V

Id-連續(xù)漏極電流:80 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:60 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:960 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:HyperFET

封裝:Tube

高度:26.59 mm

長度:20.29 mm

系列:IXFB80N50

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:5.31 mm

商標:IXYS

下降時間:11 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:25 ns

工廠包裝數(shù)量:25

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:60 ns

典型接通延遲時間:29 ns

單位重量:1.600 g

IXFB80N50Q2

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	廠商LOGO	PDF大小	PDF頁數(shù)	PDF文件	相關(guān)型號	第一頁預(yù)覽	產(chǎn)品購買
IXFB80N50Q2	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class	IXYS[IXYS Corporation]		172.61 Kbytes	共2頁		IXFN73N30Q,IXFK24N120Q2,IXFN21N100Q,IXFR44N50Q,IXFH9N80Q,IXFH15N100Q,IXFH40N30Q,IXFK44N55Q,IXFH16N90Q,IXFH15N80Q		產(chǎn)品購買
IXFB80N50Q2_07	HiPerFET Power MOSFETs	IXYS[IXYS Corporation]		131.69 Kbytes	共4頁				產(chǎn)品購買