制造商:International Rectifier
產(chǎn)品種類:MOSFET
Id-連續(xù)漏極電流:8 A
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:207 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:25 W
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:LLCC-18
商標(biāo):International Rectifier
通道模式:Enhancement
配置:Single Hex Drain Octal Source Dual Gate
下降時(shí)間:45 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時(shí)間:75 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:40 ns
典型接通延遲時(shí)間:30 ns