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IPC313N10N3R
規(guī)格信息：

封裝/外殼：--

Packing Type：WAFER SAWN

Technology：OptiMOS? 3

Mode：Enhancement

VGS(th) min max：2.0V 3.5V

VDS：100 V

RDS (on)：1.9m?

Die Size (Y)：6 mm

Die Size (X)：5.2 mm

Thickness：220

Die Size (Area)：31.2 mm2

EAS/Avalanche Energy：45.0mJ

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

介紹圖IPC313N10N3R
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
IPC313N10N3RPower MOS Transistor Chip INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)956.7 Kbytes共3頁(yè)IPC313N10N3R的PDF文件地址 IPC313N10N3R的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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