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IPC26N12N
規(guī)格信息：

封裝/外殼：--

Packing Type：WAFER SAWN

Technology：OptiMOS? 3

Budgetary Price ?€/1k：1.87

Mode：Enhancement

VGS(th) min max：2.0V 4.0V

VDS：120 V

RDS (on)：3.0m?

Die Size (Y)：6.6 mm

Die Size (X)：3.96 mm

Thickness：250

Die Size (Area)：26.13 mm2

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖IPC26N12N
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
IPC26N12NMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網1930.27 Kbytes共4頁IPC26N12N的PDF文件地址 IPC26N12N的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IPC26N12N_15Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網1930.27 Kbytes共4頁IPC26N12N_15的PDF文件地址 IPC26N12N_15的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IPC26N12NROptiMOSTM3 Power MOS Transistor Chip INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網118.79 Kbytes共3頁IPC26N12NR的PDF文件地址 IPC26N12NR的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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