封裝/外殼：--
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：40V
Id-連續(xù)漏極電流：1mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：1.1mOhms
配置：Single
高度：4.4mm
長(zhǎng)度：10mm
系列：IPC218N04
晶體管類型：1N-Channel
寬度：9.25mm
Packing Type：WAFER SAWN
Technology：OptiMOS? 3
Budgetary Price ?€/1k：1.28
VGS(th) min max：2.0 V 4.0 V
Mode：Enhancement
VDS：40 V
RDS (on)：0.5m?
Die Size (-) min max：3.7 mm2 5.9 mm2
Die Size (Y)：5.9 mm
Die Size (X)：3.7 mm
Thickness：175
Die Size (Area)：21.83 mm2
EAS/Avalanche Energy：525.0 mJ
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs