封裝/外殼：--
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：100V
Id-連續(xù)漏極電流：1mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：2.7mOhms
配置：Single
系列：IPC302N10
晶體管類型：1N-Channel
Packing Type：WAFER SAWN
Technology：OptiMOS? 3
Budgetary Price ?€/1k：1.67
VGS(th) min max：2.0 V 3.5 V
Mode：Enhancement
VDS：100 V
RDS (on)：1.7 m?
Die Size (-) min max：4.5 mm2 6.7 mm2
Die Size (Y)：6.7 mm
Die Size (X)：4.5 mm
Thickness：220
Die Size (Area)：30.15 mm2
EAS/Avalanche Energy：45.0 mJ
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs