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IPC302N20NFD
規(guī)格信息：

封裝/外殼：--

Packing Type：WAFER SAWN

Technology：OptiMOS? 3

Budgetary Price ?€/1k：2.49

Mode：Enhancement

VGS(th) min max：2.0V 4.0V

VDS：200 V

RDS (on)：9.4m?

Die Size (Y)：6.7 mm

Die Size (X)：4.5 mm

Thickness：250

Die Size (Area)：30.15 mm2

EAS/Avalanche Energy：45.0mJ

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖IPC302N20NFD
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
IPC302N20NFDOptiMOSa?￠3 Power MOS Transistor Chip INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網917.38 Kbytes共3頁IPC302N20NFD的PDF文件地址 IPC302N20NFD的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IPC302N20NFDX1SA1MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOILInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網911.73 Kbytes共3頁IPC302N20NFDX1SA1的PDF文件地址 IPC302N20NFDX1SA1的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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