制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-263-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:17.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:171 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:68 nC
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:151 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:CoolMOS
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:4.4 mm
長(zhǎng)度:10 mm
系列:CoolMOS CFDA
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:9.25 mm
商標(biāo):Infineon Technologies
下降時(shí)間:6.4 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:8.4 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:53.2 ns
典型接通延遲時(shí)間:12 ns
零件號(hào)別名:IPB65R190CFDAATMA1 IPB65R19CFDAXT SP000928264
單位重量:2.200 g