數(shù)據(jù)列表：IPB60R299CP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：CoolMOS??
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）：600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：11A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：299 毫歐 @ 6.6A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 440µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：29nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：1100pF @ 100V
功率 - 最大值：96W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-3
其它名稱：IPB60R299CP-NDIPB60R299CPATMA1SP000301161