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IPB60R120C7
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO263-3

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：120.0m?

IDpuls max：66.0A

VDS max：600.0V

ID max：19.0A

Package：D2PAK (TO-263)

Rth：1.357K/W

QG：34.0nC

Budgetary Price ?€/1k：1.74

Ptot max：92.0W

Polarity：N

Qgd：11.0nC

Pin Count：3.0Pins

Operating Temperature min max：-55.0°C 150.0°C

RthJA max：62.0K/W

Mounting：SMT

VGS(th) min max：3.0V 4.0V

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

介紹圖IPB60R120C7
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
IPB60R120C7CoolMOSa?￠ C7 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)1383.19 Kbytes共15頁(yè)IPB60R120C7的PDF文件地址 IPB60R120C7的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
IPB60R120C7ATMA1MOSFET HIGH POWER_NEWInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.35 Mbytes共15頁(yè)IPB60R120C7ATMA1的PDF文件地址 IPB60R120C7ATMA1的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
IPB60R120C7ATMA1MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.35 Mbytes共15頁(yè)IPB60R120C7ATMA1的PDF文件地址 IPB60R120C7ATMA1的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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