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IPB60R060C7
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO263-3

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：60.0m?

IDpuls max：135.0A

VDS max：600.0V

ID max：35.0A

Package：D2PAK (TO-263)

Rth：0.772K/W

QG：68.0nC

Budgetary Price ?€/1k：3.28

Ptot max：162.0W

Polarity：N

Qgd：23.0nC

Pin Count：3.0Pins

Operating Temperature min max：-55.0°C 150.0°C

RthJA max：62.0K/W

Mounting：SMT

VGS(th) min max：3.0V 4.0V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖IPB60R060C7
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
IPB60R060C7CoolMOSa?￠ C7 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)1399.5 Kbytes共15頁IPB60R060C7的PDF文件地址 IPB60R060C7的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB60R060C7Isc N-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)244.48 Kbytes共2頁IPB60R060C7的PDF文件地址 IPB60R060C7的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB60R060C7ATMA1MOSFET HIGH POWER_NEWInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.36 Mbytes共15頁IPB60R060C7ATMA1的PDF文件地址 IPB60R060C7ATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB60R060C7ATMA1MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.36 Mbytes共15頁IPB60R060C7ATMA1的PDF文件地址 IPB60R060C7ATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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