大主宰,盗墓笔记全集,网络小说排行榜

IPB407N30N
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO263-3

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：40.7m?

IDpuls max：176.0A

VDS max：300.0V

ID max：44.0A

Package：D2PAK (TO-263)

QG：65.0nC

Budgetary Price ?€/1k：3.31

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：300.0W

Polarity：N

Pin Count：3.0Pins

RthJA max：62.0K/W

Mounting：SMD

RthJC max：0.5K/W

Coss：281.0pF

Ciss：5400.0pF

VGS(th) min max：2.0V 4.0V

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

IPB407N30N

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPB407N30N	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1160.29 Kbytes	共12頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPB407N30N	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	189.21 Kbytes	共2頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPB407N30N_15	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1160.29 Kbytes	共12頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPB407N30NATMA1	MOSFET MV POWER MOS	Infineon Technologies	1.82 Mbytes	共12頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPB407N30NATMA1	MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK	Infineon Technologies	1.13 Mbytes	共12頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買