制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
Id-連續(xù)漏極電流:64 A
Vds-漏源極擊穿電壓:250 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:20 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Qg-柵極電荷:64 nC
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:300 W
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:D2PAK-3
封裝:Reel
商標(biāo):Infineon Technologies
下降時(shí)間:12 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值:122 S, 61 S122 S, 61 S
最小工作溫度:- 55 C
上升時(shí)間:20 ns
系列:OptiMOS 3
工廠包裝數(shù)量:1000
商標(biāo)名:OptiMOS
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:45 ns
典型接通延遲時(shí)間:18 ns
零件號(hào)別名:IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GXT SP000677896