制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
商標(biāo):Infineon Technologies
Id-連續(xù)漏極電流:50 A
Vds-漏源極擊穿電壓:150 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:20 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
Qg-柵極電荷:31 nC
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:150 W
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:D2PAK-3
封裝:Reel
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時間:6 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值:57 S, 29 S
最小工作溫度:- 55 C
上升時間:11 ns
系列:OptiMOS 3
工廠包裝數(shù)量:1000
商標(biāo)名:OptiMOS
典型關(guān)閉延遲時間:23 ns
典型接通延遲時間:14 ns
零件號別名:IPB200N15N3GATMA1 IPB200N15N3GXT SP000414740