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IPB160N04S3-H2
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-263-7

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:40 V

Id-連續(xù)漏極電流:160 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:214 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

資格:AEC-Q101

商標(biāo)名:OptiMOS

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:4.4 mm

長度:10 mm

系列:OptiMOS-T

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:9.25 mm

商標(biāo):Infineon Technologies

下降時間:17 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:16 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:46 ns

典型接通延遲時間:30 ns

零件號別名:IPB160N04S3H2ATMA1 IPB16N4S3H2XT SP000254818

單位重量:1.600 g

介紹圖IPB160N04S3-H2
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
IPB160N04S3-H2OptiMOS-T Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)197.75 Kbytes共9頁IPB160N04S3-H2的PDF文件地址 IPB160N04S3-H2的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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