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IPB45N04S4L-08
規(guī)格信息:

數(shù)據(jù)列表:IPx45N04S4L-08

標準包裝:1,000

類別:分立半導體產(chǎn)品

家庭:FET - 單

系列:OptiMOS??

包裝:帶卷(TR)

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓(Vdss):40V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):45A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.6 毫歐 @ 45A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 17µA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2340pF @ 25V

功率 - 最大值:45W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3-2

其它名稱:IPB45N04S4L08ATMA1SP000711444

介紹圖IPB45N04S4L-08
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
IPB45N04S4L-08OptiMOS-T2 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)165.42 Kbytes共9頁IPB45N04S4L-08的PDF文件地址 IPB45N04S4L-08的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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