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IPB60R380P6
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO263-3

Packing Type：TAPE & REEL

RDS (on) max：380.0m?

IDpuls max：29.0A

VDS max：600.0V

ID max：10.6A

Package：D2PAK (TO-263)

Rth：1.5K/W

QG：19.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.56

Ptot max：83.0W

Polarity：N

Pin Count：3.0Pins

Operating Temperature min max：-55.0°C 150.0°C

RthJA max：62.0K/W

Mounting：SMT

VGS(th) min max：3.5V 4.5V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖IPB60R380P6
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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IPB60R380P6Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)2882.47 Kbytes共19頁IPB60R380P6的PDF文件地址 IPB60R380P6的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB60R380P6Isc N-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)189.8 Kbytes共2頁IPB60R380P6的PDF文件地址 IPB60R380P6的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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IPB60R380P6ATMA1MOSFET N-CH 600V TO263-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)2.19 Mbytes共18頁IPB60R380P6ATMA1的PDF文件地址 IPB60R380P6ATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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