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IPB60R330P6
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO263-3

Packing Type：TAPE & REEL

RDS (on) max：330.0m?

IDpuls max：33.0A

VDS max：600.0V

ID max：12.0A

Package：D2PAK (TO-263)

Rth：1.35K/W

QG：22.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.64

Ptot max：93.0W

Polarity：N

Pin Count：3.0Pins

Operating Temperature min max：-55.0°C 150.0°C

RthJA max：62.0K/W

Mounting：SMT

VGS(th) min max：3.5V 4.5V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖IPB60R330P6
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
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IPB60R330P6Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)3090.82 Kbytes共19頁IPB60R330P6的PDF文件地址 IPB60R330P6的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB60R330P6Isc N-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)189.06 Kbytes共2頁IPB60R330P6的PDF文件地址 IPB60R330P6的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB60R330P6_15Material Content Data Sheet INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)33.26 Kbytes共1頁IPB60R330P6_15的PDF文件地址 IPB60R330P6_15的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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