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IPB65R190CFD PDF文件_規(guī)格信息

IPB65R190CFD
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-263-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Id-連續(xù)漏極電流:17.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:171 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:68 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:151 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:CoolMOS

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:4.4 mm

長度:10 mm

系列:CoolMOS CFD2

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:9.25 mm

商標(biāo):Infineon Technologies

下降時間:6.4 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:8.4 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:53.2 ns

典型接通延遲時間:12 ns

零件號別名:IPB65R190CFDATMA1 IPB65R19CFDXT SP000905378

單位重量:4 g

IPB65R190CFD

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPB65R190CFD	650V CoolMOS C6 CFD POWER Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	6536.87 Kbytes	共20頁	產(chǎn)品購買
IPB65R190CFD	Metal Oxide Semiconduvtor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	6536.87 Kbytes	共20頁	產(chǎn)品購買
IPB65R190CFD	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	3830.53 Kbytes	共20頁	產(chǎn)品購買
IPB65R190CFD	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	189.53 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPB65R190CFD7A	650V CoolMOSa CFD7A SJ Power Device	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1411.56 Kbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPB65R190CFD7AATMA1	MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3	Infineon Technologies	1.38 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPB65R190CFDA	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	2197.85 Kbytes	共16頁	產(chǎn)品購買
IPB65R190CFDAATMA1	MOSFET N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2	Infineon Technologies	2.14 Mbytes	共16頁	產(chǎn)品購買
IPB65R190CFDAATMA1	MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK	Infineon Technologies	2.14 Mbytes	共16頁	產(chǎn)品購買
IPB65R190CFDATMA1	MOSFET N-Ch 650V 17.5A D2PAK-2 CoolMOS CFD2	Infineon Technologies	3.75 Mbytes	共20頁	產(chǎn)品購買
IPB65R190CFDATMA1	MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263	Infineon Technologies	3.75 Mbytes	共20頁	產(chǎn)品購買
IPB65R190CFDATMA2	HIGH POWER_LEGACY	Infineon Technologies	3.75 Mbytes	共20頁	產(chǎn)品購買
IPB65R190CFDATMA2	MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263-3	Infineon Technologies	3.75 Mbytes	共20頁	產(chǎn)品購買