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IPB65R045C7 PDF文件_規(guī)格信息

IPB65R045C7
規(guī)格信息：

227 W：Pd - 功率消耗

93 nC：Qg - 閘極充電

公司名稱：CoolMOS

品牌：InFineon Technologies

安裝風格：SMD/SMT

晶體管極性：N-Channel

最低工作溫度：- 55 C

最高工作溫度：+ 150 C

標準包裝數(shù)量：1000

Id - C連續(xù)漏極電流：46 A

標準斷開延遲時間：82 ns

系列：IPB65R045

通道模式：Enhancement

配置：Single

Rds On - 漏-源電阻：45 m0hms

RoHS：符合 RoHS

Vds - 漏-源擊穿電壓：650 V

Vgs - 閘極-源極擊穿電壓：20 V

Vgs th - 門源門限電壓：3 V to 4 V

上升時間：14 ns

下降時間：7 ns

封裝/外殼：PG-TO263-3

通道數(shù)量：1Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650V

Id-連續(xù)漏極電流：46A

Rds On-漏源導通電阻：40mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓：3V

Vgs - 柵極-源極電壓：20V

Qg-柵極電荷：93nC

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+150C

Pd-功率耗散：227W

封裝：CutTape

高度：4.4mm

長度：10mm

晶體管類型：1N-Channel

寬度：9.25mm

典型關(guān)閉延遲時間：82ns

典型接通延遲時間：20ns

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPB65R045C7

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPB65R045C7	650V CoolMOSa?￠ C7 Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1572.65 Kbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
IPB65R045C7	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	189.15 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPB65R045C7ATMA1	MOSFET N-Ch 650V 46A D2PAK-2 CoolMOS C7	Infineon Technologies	1.70 Mbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
IPB65R045C7ATMA1	MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3	Infineon Technologies	1.76 Mbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
IPB65R045C7ATMA2	MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3	Infineon Technologies	1.76 Mbytes	共15頁	產(chǎn)品購買

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