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FQD13N10L
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:10 A

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:180 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:72 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:220 ns

系列:FQD13N10

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:22 ns

典型接通延遲時(shí)間:7.5 ns

FQD13N10L

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購買
FQD13N10L	100V LOGIC N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	548.81 Kbytes	共9頁	FQT7N10L,HUF76619D3,FQP13N10L,FQPF13N10L,HUF76629D3,HUF76633P3,HUF76639P3,FQAF33N10L,FQP19N10L,FQPF19N10L	產(chǎn)品購買
FQD13N10L	N-Channel QFET MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	998.7 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD13N10L	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1010.52 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買
FQD13N10LTF	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1010.5 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買
FQD13N10LTM	MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level	ON Semiconductor / Fairchild	1.38 Mbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
FQD13N10LTM	MOSFET N-CH 100V 10A DPAK	ON Semiconductor	1.38 Mbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
FQD13N10LTM	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：10A 漏源電壓（Vdss）：100V 柵源極閾值電壓：2V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：180mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 類型：N溝道	ON(安森美)	1.20 Mbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD13N10LTM_NBEL001	MOSFET N-CH 100V 10A DPAK	ON Semiconductor	1.19 Mbytes	共9頁		產(chǎn)品購買