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FQD12N20
規(guī)格信息:

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:9 A

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:280 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:55 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:120 ns

系列:FQD12N20

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:30 ns

典型接通延遲時(shí)間:13 ns

介紹圖FQD12N20
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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FQD12N20N-Channel QFET?? MOSFET 200 V, 9 A, 280 m?? FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)862.5 Kbytes共9頁FQD12N20的PDF文件地址 FQD12N20的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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FQD12N20LTM-F085MOSFET N-CH 200V 9A DPAKON SemiconductorON Semiconductor的LOGO-天天IC網(wǎng)1.29 Mbytes共10頁FQD12N20LTM-F085的PDF文件地址 FQD12N20LTM-F085的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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FQD12N20LTM-F085PMOSFET 200V /9A/0.28 OHM @ VGS=10VON SemiconductorON Semiconductor的LOGO-天天IC網(wǎng)1.29 Mbytes共11頁FQD12N20LTM-F085P的PDF文件地址 FQD12N20LTM-F085P的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
FQD12N20TMN-Channel QFET MOSFET 200 V, 9 A, 280 m FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)862.5 Kbytes共9頁FQD12N20TM的PDF文件地址 FQD12N20TM的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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