制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-252-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
Id-連續(xù)漏極電流:7.6 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:290 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.5 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:2.39 mm
長度:6.73 mm
系列:FQD10N20L
晶體管類型:1 N-Channel
類型:MOSFET
寬度:6.22 mm
商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值:9.6 S
下降時間:95 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:150 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:50 ns
典型接通延遲時間:13 ns
單位重量:260.370 mg
FQD10N20LTM
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| FQD10N20LTM | N-Channel QFET?? MOSFET 200 V, 7.6 A, 360 m?? | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 765.77 Kbytes | 共8頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| FQD10N20LTM | N-Channel 200 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | 1010.11 Kbytes | 共7頁 | 產(chǎn)品購買 |
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