制造商:Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
Id-連續(xù)漏極電流:8 A
Vds-漏源極擊穿電壓:250 V
Rds On-漏源導通電阻:550 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:3.13 W
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:D2PAK-3
商標:Fairchild Semiconductor
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時間:42 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時間:95 ns
系列:FQB8N25
典型關閉延遲時間:11 ns
典型接通延遲時間:10 ns
FQB8N25
| 型號 | 功能描述 | 生產(chǎn)廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數(shù) | PDF文件 | 相關型號 | 第一頁預覽 | 產(chǎn)品購買 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQB8N25 | 250V N-Channel MOSFET | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 593.85 Kbytes | 共9頁 | STP8NS25,IRFM214B,FQA16N25C,FQB16N25,FQD8N25,FQPF3N25,IRFM224B,FQAF16N25C,ZVN4525E6,FQB27N25 | 產(chǎn)品購買 | |||
| FQB8N25TM | MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK | ON Semiconductor | 594.89 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| FQB8N25TM | MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK | Fairchild Semiconductor | 594.89 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 |
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