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FQB6N15
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:6.4 A

Vds-漏源極擊穿電壓:150 V

Rds On-漏源導通電阻:600 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :25 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:3.75 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

商標:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:27 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:45 ns

系列:FQB6N15

典型關閉延遲時間:13 ns

典型接通延遲時間:4.7 ns

介紹圖FQB6N15
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
FQB6N15150V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)764.65 Kbytes共9頁FQB6N15的PDF文件地址FQA28N15,FQP28N15,HUFA75831SK8,FDS2582,FQA46N15,FQP46N15,HUFA75842P3,FQAF28N15,FQP6N15,HUFA75852G3 FQB6N15的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
FQB6N15TMMOSFET N-CH 150V 6.4A D2PAKON SemiconductorON Semiconductor的LOGO-天天IC網(wǎng)764.67 Kbytes共9頁FQB6N15TM的PDF文件地址 FQB6N15TM的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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