制造商:Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
Id-連續(xù)漏極電流:55 A
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:26 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :25 V
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:3.75 W
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:D2PAK-3
商標(biāo):Fairchild Semiconductor
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:140 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時(shí)間:250 ns
系列:FQB55N10
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:110 ns
典型接通延遲時(shí)間:25 ns