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FQB4N80
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:3.9 A

Vds-漏源極擊穿電壓:800 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.6 Ohms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.13 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:35 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:45 ns

系列:FQB4N80

典型關(guān)閉延遲時間:35 ns

典型接通延遲時間:16 ns

FQB4N80

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
FQB4N80	N-Channel QFET?? MOSFET 800 V, 3.9 A, 3.6 ??	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	801.37 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
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