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FQB44N10
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:43.5 A

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:39 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :25 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:3.75 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:100 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:190 ns

系列:FQB44N10

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:90 ns

典型接通延遲時(shí)間:19 ns

FQB44N10

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買
FQB44N10	100V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	640.1 Kbytes	共9頁(yè)	STL35NF10,ZXMN10A08E6,FDS3612,FQA70N10,FQB55N10,FQP13N10,FQPF13N10,FQT7N10L,2N6796	產(chǎn)品購(gòu)買
FQB44N10TM	MOSFET 100V N-Channel QFET	ON Semiconductor / Fairchild	894.67 Kbytes	共11頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
FQB44N10TM	MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK	ON Semiconductor	897.81 Kbytes	共10頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
FQB44N10TM	MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK	ON Semiconductor	897.81 Kbytes	共10頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
FQB44N10TM	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：43.5A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：100V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：39mΩ @ 21.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：146W(Tc) 類型：N溝道	ON(安森美)	893.24 Kbytes	共10頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買