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FQB55N06
規(guī)格信息:

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:55 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:20 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :25 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:3.75 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:75 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:130 ns

系列:FQB55N06

典型關(guān)閉延遲時間:60 ns

典型接通延遲時間:15 ns

介紹圖FQB55N06
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FQB55N0660V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)601.08 Kbytes共9頁FQB55N06的PDF文件地址STD30NF06L,STP14NF06,FQP20N06,FQPF20N06,HUF76409D3,HUFA76439P3,STP36NF06,HUF76423P3,RFL2N06L,ZXMHN6A07T8 FQB55N06的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
FQB55N0660V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)608.02 Kbytes共9頁FQB55N06的PDF文件地址 FQB55N06的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
FQB55N06TM60V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)608.02 Kbytes共9頁FQB55N06TM的PDF文件地址 FQB55N06TM的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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