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FQB5N30
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:5.4 A

Vds-漏源極擊穿電壓:300 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:900 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.13 W

? 2000 ?裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:27 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:55 ns

系列:FQB5N30

典型關(guān)閉延遲時間:17 ns

典型接通延遲時間:11 ns

介紹圖FQB5N30
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FQB5N30300V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)770.26 Kbytes共9頁FQB5N30的PDF文件地址FQB2N30,FQPF3N30,FQB3N30,FQPF5N30,FDA59N30,FQPF9N30,FQA26N30,FQD2N30,FQAF22N30,FQD3N30 FQB5N30的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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