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FQB55N10TM
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-263-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續(xù)漏極電流:55 A

Rds On-漏源導通電阻:26 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:25 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:3.75 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:4.83 mm

長度:10.67 mm

系列:FQB55N10

晶體管類型:1 N-Channel

類型:MOSFET

寬度:9.65 mm

商標:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導 - 最小值:38 S

下降時間:140 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:250 ns

工廠包裝數(shù)量:800

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:110 ns

典型接通延遲時間:25 ns

單位重量:1.312 g

介紹圖FQB55N10TM
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
FQB55N10TM100V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)1062.36 Kbytes共9頁FQB55N10TM的PDF文件地址 FQB55N10TM的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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