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FQB6N60
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:6.2 A

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.5 Ohms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.13 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:45 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:70 ns

系列:FQB6N60

典型關(guān)閉延遲時間:40 ns

典型接通延遲時間:20 ns

FQB6N60

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
FQB6N60	600V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	885.29 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQB6N60	600V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	547.21 Kbytes	共9頁	STP4NM60,FQAF19N60,FQPF12N60,SSW2N60B,FCH47N60,FQP3N60C,STS1HNK60,FQB12N60,FQPF1N60,SSW4N60B	產(chǎn)品購買
FQB6N60C	600V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	680.4 Kbytes	共9頁	STP4NM60,FQAF19N60,FQP7N60,SSW1N60B,FCP20N60,FQP3N60C,STS1HNK60,FQB12N60,FQPF12N60,SSW2N60B	產(chǎn)品購買
FQB6N60CTM	MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK	ON Semiconductor	681.81 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQB6N60TM	MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK	ON Semiconductor	879.75 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQB6N60TM	MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK	Fairchild Semiconductor	879.75 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買