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FQB7N60
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:7.4 A

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1 Ohms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.13 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:60 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:80 ns

系列:FQB7N60

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:65 ns

典型接通延遲時(shí)間:30 ns

FQB7N60

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購買
FQB7N60	600V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	591.64 Kbytes	共9頁	STP4NM60,FQAF19N60,FQPF12N60,SSW2N60B,FCH47N60,FQP3N60C,STS1HNK60,FQB12N60,FQPF1N60,SSW4N60B	產(chǎn)品購買
FQB7N60TM	MOSFET 600V N-Channel QFET	ON Semiconductor / Fairchild	1016.67 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
FQB7N60TM	MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK	ON Semiconductor	945.42 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
FQB7N60TM	MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK	ON Semiconductor	945.42 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
FQB7N60TM	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：7.4A 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：5V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：1Ω @ 3.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.13W 類型：N溝道	ON(安森美)	801.77 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買