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FQB9N50CTM
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-263-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:500 V

Id-連續(xù)漏極電流:9 A

Rds On-漏源導通電阻:800 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:135 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:4.83 mm

長度:10.67 mm

系列:FQB9N50C

晶體管類型:1 N-Channel

類型:MOSFET

寬度:9.65 mm

商標:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導 - 最小值:6.5 S

下降時間:64 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:65 ns

工廠包裝數(shù)量:800

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:93 ns

典型接通延遲時間:18 ns

零件號別名:FQB9N50CTM_NL

單位重量:1.312 g

介紹圖FQB9N50CTM
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
FQB9N50CTMN-Channel QFET?? MOSFET 500 V, 9 A, 800 m?? FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)487.21 Kbytes共8頁FQB9N50CTM的PDF文件地址 FQB9N50CTM的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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