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FQB9N25C
規(guī)格信息:

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:8.8 A

Vds-漏源極擊穿電壓:250 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:430 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.13 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:65 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:85 ns

系列:FQB9N25

典型關(guān)閉延遲時間:90 ns

典型接通延遲時間:15 ns

介紹圖FQB9N25C
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FQB9N25C250V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)869.21 Kbytes共9頁FQB9N25C的PDF文件地址STP8NS25,FQD6N25,FQPF27N25,IRF654B,IRF614,FDPF44N25,FQB16N25,IRFM214B,FQA16N25C,ZVN4525E6 FQB9N25C的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
FQB9N25CTMMOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAKON SemiconductorON Semiconductor的LOGO-天天IC網(wǎng)869.17 Kbytes共9頁FQB9N25CTM的PDF文件地址 FQB9N25CTM的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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