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FQD10N20C
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:7.8 A

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:360 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:50 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:72 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:92 ns

系列:FQD10N20

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:70 ns

典型接通延遲時(shí)間:11 ns

FQD10N20C

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購買
FQD10N20C	N-Channel QFET MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	549.66 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD10N20C	200V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	589.53 Kbytes	共9頁	STD4N20,FDC2612,FQAF19N20L,FQB5N20L,FQP4N20L,FQPF4N20,IRF620B,IRFW620B,FQP32N20C,FDD2612	產(chǎn)品購買
FQD10N20C	N-Channel QFET MOSFET 200 V, 7.8 A, 360 mOhm	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	1283.35 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD10N20C	200V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	729.18 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD10N20C_09	200V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	729.18 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD10N20CTF	MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK	ON Semiconductor	654.92 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
FQD10N20CTM	N-Channel QFET MOSFET 200 V, 7.8 A, 360 mOhm	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	1283.35 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD10N20CTM_F080	MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK	ON Semiconductor	654.92 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買