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FQD12N20L
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:9 A

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:280 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:120 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:190 ns

系列:FQD12N20

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:60 ns

典型接通延遲時(shí)間:15 ns

FQD12N20L

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FQD12N20L	200V LOGIC N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	606.86 Kbytes	共9頁(yè)	FQAF19N20L,FQB5N20L,FQPF4N20L,FQP5N20L,FQAF34N20L,FQD7N20L,FQPF5N20L,FQB10N20L,FQB7N20L,RFP2N20L	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FQD12N20LTM	200V Logic Level N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	721.79 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FQD12N20LTM-F085	MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 9A 3-Pin 2+Tab	ON Semiconductor / Fairchild	644.91 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FQD12N20LTM-F085	MOSFET N-CH 200V 9A DPAK	ON Semiconductor	1.29 Mbytes	共10頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FQD12N20LTM-F085	MOSFET N-CH 200V 9A DPAK	ON Semiconductor	1.29 Mbytes	共10頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FQD12N20LTM-F085P	MOSFET 200V /9A/0.28 OHM @ VGS=10V	ON Semiconductor	1.29 Mbytes	共11頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)