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FQD12P10
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:9.4 A

Vds-漏源極擊穿電壓:- 100 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:290 mOhms

晶體管極性:P-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:60 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:160 ns

系列:FQD12P10

典型關(guān)閉延遲時間:35 ns

典型接通延遲時間:15 ns

FQD12P10

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
FQD12P10	100V P-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	624.66 Kbytes	共9頁	FQB34P10,FQAF17P10,ZXMP10A17E6,FQAF22P10,FQB5P10,FQP17P10,FQPF17P10,IRFD9110,IRFD9110,RFP8P10	產(chǎn)品購買
FQD12P10	100V P-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	672.06 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD12P10	P-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1017.94 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD12P10TF	MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252	ON Semiconductor	666.55 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD12P10TM	100V P-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	672.06 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD12P10TMF085	100V P-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	883.53 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
FQD12P10TM-F085	MOSFET P-CH/100V/Q-FET	ON Semiconductor / Fairchild	865.98 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
FQD12P10TM-F085	MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK	ON Semiconductor	877.86 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買