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DMN601WK-7
規(guī)格信息：

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-323-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:300 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

最小工作溫度:- 65 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:200 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1 mm

長度:2.2 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:DMN60

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:1.35 mm

商標(biāo):Diodes Incorporated

產(chǎn)品類型:MOSFET

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

單位重量:5 mg

DMN601WK-7

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DMN601WK-7	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODES[Diodes Incorporated]		141.13 Kbytes	共4頁		FDP7030L,NDP4060,NDP6051,NDP710A,NDS8410S,NDS9957,CEFF640,CEM8410,CEP6030L,CEP7060L		產(chǎn)品購買
DMN601WK-7	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES[Diodes Incorporated]		153.84 Kbytes	共5頁				產(chǎn)品購買