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DMN601DMK
規(guī)格信息:

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:305 mA

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2400 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:225 mW

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-26-6

商標(biāo):Diodes Incorporated

通道模式:Enhancement

配置:Dual

最小工作溫度:- 65 C

系列:DMN601D

介紹圖DMN601DMK
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
DMN601DMKDual N-Channel MOSFET TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)210.75 Kbytes共1頁DMN601DMK的PDF文件地址 DMN601DMK的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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DMN601DMK_15DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO-天天IC網(wǎng)166.8 Kbytes共5頁DMN601DMK_15的PDF文件地址 DMN601DMK_15的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
DMN601DMK_16DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO-天天IC網(wǎng)513.06 Kbytes共7頁DMN601DMK_16的PDF文件地址 DMN601DMK_16的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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