FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：50V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：280mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，2.7V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250μA
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：50pF @ 25V
功率耗散（最大值）：150mW（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：3 歐姆 @ 200mA，2.7V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：SOT-523
封裝/外殼：SOT-523
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs