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DMN55D0UTQ-7
規(guī)格信息：

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-523-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:50 V

Id-連續(xù)漏極電流:160 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.1 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:800 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:12 V

Qg-柵極電荷:-

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:200 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

資格:AEC-Q101

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:DMN55

晶體管類型:1 N-Channel

商標(biāo):Diodes Incorporated

正向跨導(dǎo) - 最小值:180 mS

下降時(shí)間:-

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:-

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:-

典型接通延遲時(shí)間:-

單位重量:2 mg

介紹圖DMN55D0UTQ-7
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
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購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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