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DMN53D0LW-13
規(guī)格信息：

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-323-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:50 V

Id-連續(xù)漏極電流:360 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:800 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:1.2 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:420 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Reel

系列:DMN53

晶體管類型:1 N-Channel

商標:Diodes Incorporated

正向跨導(dǎo) - 最小值:80 mS

下降時間:11 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:2.5 ns

工廠包裝數(shù)量:10000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:18.9 ns

典型接通延遲時間:2.7 ns

單位重量:5 mg

DMN53D0LW-13

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DMN53D0LW-13	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES[Diodes Incorporated]		243.45 Kbytes	共5頁				產(chǎn)品購買
DMN53D0LW-13	N-Channel MOSFET	DIODES[Diodes Incorporated]		243.45 Kbytes	共5頁				產(chǎn)品購買