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DMN55D0UT-7
規(guī)格信息：

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-523-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:50 V

Id-連續(xù)漏極電流:160 mA

Rds On-漏源導通電阻:4 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:700 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:4 V

Qg-柵極電荷:295 pC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:200 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.75 mm

長度:1.6 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:DMN55

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:0.8 mm

商標:Diodes Incorporated

正向跨導 - 最小值:180 mS

產(chǎn)品類型:MOSFET

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

單位重量:2 mg

DMN55D0UT-7

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DMN55D0UT-7	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES[Diodes Incorporated]		152.86 Kbytes	共5頁				產(chǎn)品購買
DMN55D0UT-7	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODES[Diodes Incorporated]		184.67 Kbytes	共4頁				產(chǎn)品購買