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DMN5L06K
規(guī)格信息:

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:300 mA

Vds-漏源極擊穿電壓:50 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2 Ohms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:350 mW

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-23-3

商標(biāo):Diodes Incorporated

通道模式:Enhancement

配置:Single

最小工作溫度:- 65 C

系列:DMN5L06

介紹圖DMN5L06K
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
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DMN5L06KN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO-天天IC網(wǎng)143.76 Kbytes共5頁(yè)DMN5L06K的PDF文件地址CEM2082,CEP09N6,CEP63A3,CEP3070,CED703AL,2N7002W_1,DMN2005K,CEM2108,CEM4282,CEM8208 DMN5L06K的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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